AliExpress ist eine Variante. Sonst gab es die auch bei eBay, aber irgendwie geht da zum vertretbaren Preis keiner.
Kannst mir auch eine Mail schicken wenn du dringend einen brauchst. Paar habe ich noch hier.
Danke für das Angebot. Meine Frage war eher weiter und an die Zukunft des Projekts gedacht. Da es anscheinend keinen gleichwertigen mehr so direkt gibt (selbst in der PCN wird keine Alternative genannt).
Zur Info für alle die auch gerade noch suchen. Conrad hat auch noch 234 Stück.Werde aber auch den IRF5305 mal zum Vergleich kaufen und testen.
Mich würden da eher SMD Alternativen interessieren 
Also im Prinzip ist die Anforderung, damit das zu meinen PCBs passt, relativ einfach:
Gehäuse: TO220
Vgs: So niedrig wie möglich. Wobei man sich bei einem P-Channel-Mosfet da nicht ins Bockshorn jagen lassen sollte: Weniger heißt hier nicht möglichst viel minus sondern am besten Richtung 0 
Hier sind zwei mit 1,x Volt.
https://www.mouser.de/datasheet/2/196/Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN-1227285.pdf
https://www.mouser.de/datasheet/2/196/Infineon-I80P03P4L_04-DS-v01_01-en-1225645.pdf
Die ganzen Mosfets mit -2V werden aber vermutlich auch funktionieren.
Die stehen doch da oben in meinem Link zu Mikrocontroller drin.
Ah! Gehäuseform übersehen - sorry und Danke
Ich habe mal bei überlegt, ob man nicht die SMD und die Through-Hole Komponenten parallel auf der Platine planen kann?
Hier mal ein KiCad-3D-Modell, in dem SMD-Teile für die Widerstände und Mosfets bestückt sind, daneben aber auch Löcher für die Through-Hole-Alternativen vorhanden sind.
Damit wären „Selbstlöter“ flexibler in der Auswahl der Teile.
Es kostet keinen extra-Platz zwischen den Löchern noch SMD-Lötpads zu planen.
Hy,
das klingt im ersten Moment cool.
Ich frage mich jedoch ob das so sinnvoll ist.
Die Übersichtlichkeit ist eigentlich nur bei 2-Pin-Bauteilen (Widerstände, Dioden, Kondensatoren) gegeben. Und genau die gibt es sowohl als SMD und THT zur Genüge. Ich persönlich würde immer THT bevorzugen, da ich da schneller beim Löten bin und SMD dann verwenden, wenn es kein THT-Derivat gibt, ich Platz sparen oder die Platine Bestücken lassen möchte.
Der Schaltplan wird dadurch auch unübersichtlicher, da viele Bauteile doppelt vorhanden sind.
Somit ist es für mich ein bisschen die Mischung als allem ohne Vorteile.
Vielleicht wäre es ein besserer Ansatz einen Schaltplan zu erzeugen und daraus eine THT-Platine und eine SMD-Platine zu erzeugen
Klingt wirklich cool, aber getrennt macht aus meiner Sicht auch mehr Sinn. Besonders da bei unbestückten SMD Pads immer die Gefahr besteht, dass man sich hier einen Kurzschluss einfängt. Sei es durch Lötspritzer oder aber ein Kabel.
Klingt gut.
Ihr habt mich überzeugt.
Die Frage ist was ihr dann wirklich alles selber löten wollt.
die Complete Platine sollte ja gerade für Neulinge soweit möglich fertig gelötet sein.
Aber ne max. THT Version mit allen widerstände , fet und dioden kann man natürlich erstellen.
Kurzes Feedback zum IRF5305, die Verwendung ist nicht möglich. Er leitet nur die 3,3V ohne Belastung.
Unter Last fällt dann die Spannung ab.
Hab eben zufällig noch eine P-Channel-Alternative (zum NDP6020P) gefunden: IRLIB9343PbF
Datasheet sagt: Vgs=-1V.
Gehäuse ist TO220.
Ich kann bestätigen dass es mit dem IRLIB9343PbF und deinem PCB für Lolin32 D32 pro funktioniert.
Vielen Dank nochmal, schönes Projekt.
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Hallo,
hier ist zwar schon lange nichts mehr geschrieben worden, aber ich schreibe trotzdem, da ich eine Frage zur MOSFET-Schaltung habe.
Ich habe die ursprüngliche Variante mit N- und P-Channel-MOSFET nachgebaut. Es wird aber nur durchgeschaltet, wenn ich den Widerstand (100k) zwischen +3.3V und Gate des P-Channel entferne. Zur Abschaltung muss ich ihn natürlich wieder einsetzen.
Kennt jemand dieses Problem oder kann mir beim Lösen helfen?
Besten Dank
Der PMOS schaltet ja durch, wenn die Spannung am Gate niedriger ist als am Source. Wieviel sie niedriger sein muss, das steht im Datenblatt unter Vgs. Was macht also der 100k-Widerstand? Das ist ein sog. PullUp-Widerstand, der das Gate auf 3.3 V zieht, so dass Vgs 0V wird und der PFET damit nicht durchschaltet. Damit er aber durchschaltet, muss er auf seinem Gate am besten ein GND-Signal kriegen, welches er vom NFET kriegt.
Wo man halt ein bisschen aufpassen muss: Schalten mit Transistoren. Da wäre ja das Beispiel oben links passend. Nur was man hier weglassen sollte, das ist R2. Weil das wirkt zusammen mit R1 als Spannungsteiler.
Vielleicht postest du deine Schaltung mal.
Vielen Dank für die schnelle Antwort. Mein Problem ist, dass der Pullup das Gate vom PFET high setzt, auch, wenn das GND Signal vom NFET ankommt. In der Schaltung geht es um R3
Ich denke das Problem ist, dass die Vgs des IRF530N zu hoch ist und der daher nicht (oder nur wenig) leitet. Es sind halt nur 3.3 V in der Gate-Ansteuerung. Bin mir nicht mehr sicher, aber ich glaube ich hatte auch mal mit dem 530 angefangen und aber gewechselt, weil das eher Glückssache war mit dem Funktionieren. Die Bauteile streuen halt auch.
Zwei Möglichkeiten:
a) Du testest mal einen IRL3103. Den habe ich schon oft verwendet und der funktioniert auf jeden Fall. Den kann ich dir auch schicken (schreibst mir ne Mail).
b) Du lädst dir die aktuelle ESPuino-Version runter und testest INVERT_POWER. Dafür umgehst du Q1 und R2 komplett. D.h. R1 steuert direkt das Gate von Q2 direkt an und nicht mehr das Gate von Q1. Q1 und R2 wirst aber auslöten müssen. Mit INVERT_POWER wird die Ansteuerung invertiert, d.h. im Betrieb gibt dir GPIO 5 ein LOW raus. Im Deepsleep gibt er nix aus, aber dann wird das Gate von Q2 ja mittels R3 definiert „hochgezogen“ und damit sperrt Q2.
Ich bin gerade erst dazu gekommen es zu testen, aber den NFET direkt mit low zu schalten klappt problemlos. Besten Dank für die Lösung, dann kann ich ja jetzt weiter basteln 